你们好，最近小未来发现有诸多的小伙伴们对于保护电路设计，保护电路这个问题都颇为感兴趣的，今天小活为大家梳理了下，一起往下看看吧。

1、驱动电路(电压型):

2、如图1所示：图1(a)适用于低频小电流驱动。当控制信号Vi为高电平时，V1导通，对应被控IGBT，输出Vo导通；当控制信号Vi为低电平时，V2开启，由输出Vo控制的IGBT关闭。

(相关资料图)

3、图1驱动电路(电压型)

4、图1(b)是由场效应晶体管构成的推挽电路，其工作原理与图1(a)相同。该电路的高频峰值驱动电流可达10A以上，适用于大功率M0SFET或IGBT。

5、电子高速检测保护电路：

6、如图2所示，正常工作时，V2低电平导通VDS，A点的电位通过D2流回D点。因为漏极处于低电位，所以点A也处于低电位，这不会偏置V1，从而影响V2。

7、图2电子高速检测保护电路

8、驱动和保护二合一电路

9、将上述驱动电路与保护电路结合在一起，它们的功能将被整合在一起，这是这一行的独特之处。实际电路如图3所示：

10、实用驱动保护二合一电路

11、下图显示了驱动和保护二合一电路。

12、图3适合低频低功耗驱动。如果用N沟道和P沟道大功率场管代替双极型NPN和PNP晶体管，就可以构成高频大电流驱动器。

13、图中方波信号用磁环变压器耦合代替光电耦合器进行信号隔离，简单，没有光电耦合器的上升和下降波沿。光电管的速度不能太快，变压器可以获得陡峭的上升和下降波沿，几乎没有传输延迟。使用高频大功率MOSFET驱动器，无论使用什么器件(VMOS或IGBT)，都可以获得良好的效果。

14、该电路驱动速度快，具有过流保护动作，是一种理想的二合一实用电路。

以上就是保护电路这篇文章的一些介绍，希望对大家有所帮助。